聚焦電子束輻照誘導(dǎo)單晶Si納米線的選擇性非晶化和新型同軸結(jié)構(gòu)的形成

編號(hào)：NMJS05245

篇名：聚焦電子束輻照誘導(dǎo)單晶Si納米線的選擇性非晶化和新型同軸結(jié)構(gòu)的形成

作者：李鋒； 蘇江濱； 李論雄；

關(guān)鍵詞：Si納米線； 選擇性非晶化； 同軸結(jié)構(gòu)； 能量束非熱激活效應(yīng)； 納米曲率效應(yīng)；

機(jī)構(gòu)： 廈門大學(xué)材料科學(xué)與工程系； 廈門大學(xué)中國(guó)-澳大利亞功能納米材料聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室； 常州大學(xué)數(shù)理學(xué)院； 廈門大學(xué)化學(xué)系； 華南師范大學(xué)實(shí)驗(yàn)中心；

摘要： 使用改進(jìn)的原位透射電鏡觀察技術(shù)研究了室溫下單晶Si納米線在聚焦電子束輻照下的結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定性。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)輻照區(qū)域內(nèi)單晶Si納米線外層會(huì)優(yōu)先非晶化且局部徑向膨脹,并隨輻照劑量增加進(jìn)一步形成新型3層包裹同軸結(jié)構(gòu)等一系列有趣的變化。傳統(tǒng)knock-on機(jī)制和電子束熱效應(yīng)并不能完全解釋上述實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象,然而利用最近提出的納米曲率效應(yīng)和電子束非熱激活效應(yīng)則能得到較好的解釋。