MBE生長GaN納米柱XRD和AFM分析

編號(hào)：NMJS05239

篇名：MBE生長GaN納米柱XRD和AFM分析

作者：周平； 任霄鈺； 苑進(jìn)社；

關(guān)鍵詞：分子束外延； V/III比； GaN納米柱；

機(jī)構(gòu)： 重慶師范大學(xué)物理與電子工程學(xué)院；

摘要： 首次使用納米壓印和分子束外延(MBE)相結(jié)合的方法在圖形化襯底上成功制備出GaN納米柱,并用XRD和AFM對(duì)其形貌和結(jié)構(gòu)特性進(jìn)行了分析表征。XRD分析表明所制備的GaN納米柱在(0002)方向擇優(yōu)生長。計(jì)算得出GaN納米柱的尺寸約為30 nm。原子力顯微鏡AFM分析發(fā)現(xiàn):隨著V/III的增大,表面粗糙度逐漸降低�；�于XRD和AFM分析結(jié)果,討論了V/III比對(duì)制備GaN納米柱形貌和結(jié)構(gòu)的影響。