金屬納米顆粒在Lu2O3薄膜中的應(yīng)變場分析

編號(hào)：NMJS05195

篇名：金屬納米顆粒在Lu2O3薄膜中的應(yīng)變場分析

作者：劉曉山1； 2； 袁彩雷1； 劉桂強(qiáng)1； 付國蘭1； 駱興芳1；

關(guān)鍵詞：納米顆粒； 薄膜； 有限元方法； 壓縮應(yīng)力； 應(yīng)變；

機(jī)構(gòu)： (1.江西師范大學(xué)物理與通信電子學(xué)院； 南昌330022)(2.江西省光電子與通信重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室； 南昌330022)；

摘要： 利用有限元分析法對鑲嵌在Lu2O3薄膜中的Au、Cu、Pt、Co金屬納米顆粒的應(yīng)變場分布進(jìn)行了分析,分析表明:金屬納米顆粒在生長過程中受Lu2O3薄膜的壓縮應(yīng)力作用,從而在納米顆粒內(nèi)部和表面產(chǎn)生相應(yīng)應(yīng)變,應(yīng)變分布與金屬納米顆粒的楊氏模量和泊松比有關(guān)。楊氏模量大的金屬納米顆粒表面應(yīng)變和內(nèi)部應(yīng)變差異較大;而楊氏模量小的金屬納米顆粒內(nèi)外應(yīng)變差相對較小。隨著金屬納米顆粒在基體材料內(nèi)部不斷生長,金屬納米顆粒受到的偏應(yīng)變也逐漸增大。金屬納米顆粒生長過程中的這種偏應(yīng)變的存在和變化將極大地影響其內(nèi)部晶格結(jié)構(gòu)和表面形貌,進(jìn)而影響金屬納米顆粒的性能。