GaAs納米線及GaAs/InxGa1-xAs/GaAs納米線徑向異質(zhì)結(jié)構(gòu)的無催化選區(qū)生長(zhǎng)的實(shí)驗(yàn)研究

編號(hào)：NMJS05151

篇名：GaAs納米線及GaAs/InxGa1-xAs/GaAs納米線徑向異質(zhì)結(jié)構(gòu)的無催化選區(qū)生長(zhǎng)的實(shí)驗(yàn)研究

作者：崔建功； 張霞； 顏鑫； 李軍帥； 黃永清； 任曉敏；

關(guān)鍵詞：GaAs納米線； 無催化選區(qū)生長(zhǎng)； 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法；

機(jī)構(gòu)： 北京郵電大學(xué),信息光子學(xué)與光通信國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；

摘要： 利用無催化選區(qū)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(SA-MOCVD)法在GaAs(111)B襯底上分別制備了GaAs納米線和GaAs/InxGa1-xAs/GaAs納米線徑向異質(zhì)結(jié)構(gòu).系統(tǒng)地研究了生長(zhǎng)條件對(duì)GaAs納米線生長(zhǎng)的影響.實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,GaAs納米線的形貌和長(zhǎng)度依賴于生長(zhǎng)溫度、AsH3的分壓以及SiO2掩膜表面的圓孔直徑.因此可以通過調(diào)節(jié)以上因素來得到高質(zhì)量的GaAs納米線.并且發(fā)現(xiàn)擴(kuò)散是影響無催化選區(qū)生長(zhǎng)GaAs納米線的主要機(jī)理.微區(qū)光致發(fā)光譜(μ-PL)表明,GaAs/InxGa1-xAs/GaAs納米線徑向異質(zhì)結(jié)構(gòu)被成功合成,室溫(300 K)下它的發(fā)光波長(zhǎng)為913 nm.這些結(jié)果對(duì)于GaAs納米線及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備的進(jìn)一步研究及其在光電子器件中的應(yīng)用具有很好的參考價(jià)值.