彎曲BN納米片的電子性質(zhì)及其調(diào)制

編號(hào)：NMJS05147

篇名：彎曲BN納米片的電子性質(zhì)及其調(diào)制

作者：馮小勤； 賈建明； 陳貴賓；

關(guān)鍵詞：第一性原理； 彎曲； 電場(chǎng)； 電子性質(zhì)；

機(jī)構(gòu)： 淮陰師范學(xué)院物理與電子電氣工程學(xué)院；

摘要： BN納米片是具有一定寬度、無(wú)限長(zhǎng)度的一維蜂窩構(gòu)型單層帶狀氮化硼材料,彎曲的BN納米片因?yàn)镻 z軌道旋轉(zhuǎn),將表現(xiàn)出一定的獨(dú)特的電子性質(zhì).通過(guò)第一性原理計(jì)算,利用MS(Material Studio)中的DMOL3(local density functional calculations on molecules)軟件計(jì)算了Zigzag和Armchair型BN納米片彎曲以后的能帶結(jié)構(gòu).BN納米帶的帶隙會(huì)隨著彎曲角度的變化而改變,以Armchair型BN納米帶的變化較為明顯;在彎曲的基礎(chǔ)上再加入外電場(chǎng),卻是Zigzag型BN納米帶的帶隙變化更顯著.當(dāng)電場(chǎng)加大到一定的值,納米帶就會(huì)從半導(dǎo)體變?yōu)榻饘?并且這一臨界電場(chǎng)值的大小和納米帶的彎曲程度有關(guān).電場(chǎng)對(duì)帶隙的調(diào)制還和納米帶的尺寸有關(guān)系,電場(chǎng)對(duì)大尺度的納米帶的調(diào)控性更好,從半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘偎�需要的電�?chǎng)值要更小.