一維SiC納米材料制備技術研究進展

編號：NMJS05146

篇名：一維SiC納米材料制備技術研究進展

作者：趙春榮； 楊娟玉； 盧世剛；

關鍵詞：SiC； 一維納米材料； 生長機制； 制備；

機構： 北京有色金屬研究總院動力電池研究中心；

摘要： 一維SiC納米材料由于具有獨特的電學、光學及力學性能,在新型納米光電子器件、生物醫(yī)學傳感器、儲能和材料增韌等領域擁有廣闊的應用前景。介紹了基于氣相-液相-固相(VLS)、固相-液相-固相(SLS)、氣相-固相(VS)和氧化物輔助生長的生長機制(OAG)制備一維SiC納米材料的方法,并分析了各種方法的特點。一維SiC納米材料的制備方法主要存在以下幾個問題:(1)工藝過程中溫度高(模板法、激光燒蝕法、電弧放電法、熱蒸發(fā)法、碳熱還原法)或壓力大(溶劑熱法),涉及過程復雜;(2)產(chǎn)物中常含有金屬雜質(zhì)(如金屬氣-液-固(VLS)催化生長法)或表面包覆SiO2層(激光燒蝕法、電弧放電法、碳熱還原法),形貌不均一;(3)產(chǎn)量低(模板法、溶劑熱法)。這些問題制約了高純一維SiC納米材料的制備及其本征性能的研究,也不利于實現(xiàn)一維SiC納米材料的規(guī)�；�生產(chǎn)。因此,發(fā)展新型低成本高純一維SiC納米材料的制備技術對于推動一維SiC納米材料的研究、規(guī)�；�生產(chǎn)以及在相關高科技領域中的應用具有十分重要的意義。