不銹鋼基板上合成碳納米線圈及其場發(fā)射特性(英文)

編號：NMJS05103

篇名：不銹鋼基板上合成碳納米線圈及其場發(fā)射特性(英文)

作者：李利利； 潘路軍； 李大衛(wèi)； 趙琴； 馬赫；

關鍵詞：碳納米線圈； 不銹鋼片； 煅燒溫度； 場發(fā)射； 有限元法；

機構： 大連理工大學物理與光電工程學院；

摘要： 在滴有錫溶液的普通不銹鋼片上,利用熱化學氣相沉積法合成了碳納米線圈。在900℃煅燒導致不銹鋼片表面的皸裂,使得Fe(Ni)和Sn能夠充分融合,并形成了適合于碳納米線圈生長的具有活性的Fe(Ni)-Sn-O催化劑顆粒。研究分散在n型硅基板上的合成碳納米線圈的場發(fā)射特性。結果表明碳納米線圈具有大小為1.6 V/mm的低開啟電場。單根直立的和躺倒的碳納米線圈上的電場分布成功地解釋了Fowler-Nordheim(F-N)圖的"行為"。同時發(fā)現(xiàn)躺倒的碳納米線圈上的場增強因子β是躺倒的碳納米管上的2.25倍。這是因為碳納米線圈的螺旋結構減少了周圍基板對其的屏蔽效應。在這種情況下,碳納米線圈更易發(fā)射電子,有望應用在X射線源,場發(fā)射顯示器和其他微納米裝置中。