WD-50表面改性對粉體Zeta電位的影響

編號：CPJS02819

篇名：WD-50表面改性對粉體Zeta電位的影響

作者：鄭彩華；

關(guān)鍵詞：表面改性； 無機粉體； Zeta電位；

機構(gòu)： 清遠(yuǎn)職業(yè)技術(shù)學(xué)院機電工程學(xué)院；

摘要： 本文采用硅烷偶聯(lián)劑WD-50對SiC、Si3N4和SiO2三種無機粉體進(jìn)行表面改性,主要研究了改性前后粉體的Zeta電位,并對SiC粉體改性前后進(jìn)行了XRD和FT-IR分析。結(jié)果表明,改性后粉體的Zeta電位發(fā)生了顯著變化,其主要原因是表面包覆了一層偶聯(lián)劑,使粉體的表面結(jié)構(gòu)以及表面荷電性質(zhì)發(fā)生了改變。改性粉體Zeta電位的變化與偶聯(lián)劑主要官能團有關(guān),WD-50含有-NH2,能使粉體顆粒表面吸附H+變成-NH3+,從而使改性粉體的等電點向中性偏堿性移動,且在酸性區(qū)域的Zeta電位提高。