納米線多型異質(zhì)結(jié)碳化硅室溫單電子晶體管研究

編號：NMJS04878

篇名：納米線多型異質(zhì)結(jié)碳化硅室溫單電子晶體管研究

作者：張洪濤； 詹云峰； Georg Bastian； Uli Lemmer

關(guān)鍵詞：室溫單電子晶體管； 納米線； 碳化硅； 多型異質(zhì)結(jié)構(gòu)； 庫侖阻塞效應(yīng)

機構(gòu)： 湖北工業(yè)大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院通信工程系； 湖北工業(yè)大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院納米電子技術(shù)與微系統(tǒng)實驗室； Hochschule-Rhein-Waal； Universitat Karlsruhe(TH)

摘要： 采用碳化硅4H/6H多型納米線制備單電子晶體管,在室溫下觀察到庫侖阻塞效應(yīng)和負(fù)微分電阻,I-V曲線呈現(xiàn)典型的庫侖臺階,其臺階為周期性的,這些周期性小臺階,又呈現(xiàn)非周期的嵌套結(jié)構(gòu)。單根納米線碳化硅由4H/6H多型交替生長構(gòu)成,它們嵌合構(gòu)成竹節(jié)狀生長,碳化硅多型結(jié)構(gòu)中4H多型晶體構(gòu)成雙勢壘,其直徑為10~80nm,長度約50nm。而聯(lián)結(jié)4H多型的6H多型晶體部分,長度約20nm,且直徑較細(xì)(約10~35nm),被認(rèn)為是庫侖孤島。