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            納米GaN的制備及其表征 
            

            編號：NMJS04869
            

            篇名：納米GaN的制備及其表征 
            

            作者：何海成； 盧艷紅； 王洪緒； 華繼昌； 嵇天浩
            

            關(guān)鍵詞：GaN； 納米結(jié)構(gòu)； 高溫溶劑法
            

            機構(gòu)： 廊坊師范學(xué)院化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院； 康龍化成(北京)新藥技術(shù)有限公司； 中國石油勘探開發(fā)研究院廊坊分院； 北京工商大學(xué)化學(xué)與環(huán)境工程學(xué)院
            

            摘要： 以三苯基氧膦為溶劑、GaCl3為原料、六甲基二硅胺烷為氮源,采用高溫溶劑法合成了GaN納米材料。用X-射線衍射(XRD)、透射電子顯微鏡(TEM)和傅里葉變換紅外光譜(FTIR)對產(chǎn)物進(jìn)行了表征,結(jié)果表明得到了納米結(jié)構(gòu)的GaN粉末。
            



            

            

            

            


            

            

            

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