導(dǎo)電納米片的簡(jiǎn)單合成路線

編號(hào)：NMJS04866

篇名：導(dǎo)電納米片的簡(jiǎn)單合成路線

作者：

關(guān)鍵詞：納米結(jié)構(gòu)材料； 化合物； 化學(xué)氣相沉積； 儲(chǔ)氫材料； 電學(xué)性能； 二硫化物； 催化劑； 電沉積； 米片； 電容器

機(jī)構(gòu)：

摘要： <正>包括MoS2,WSe2,TaS2在內(nèi),被稱為金屬二硫化物的一類化合物在眾多高科技領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,包括晶體管、電容器、電池、催化劑、儲(chǔ)氫材料等。上述化合物的納米結(jié)構(gòu)材料與塊體材料相比化學(xué)性質(zhì)更穩(wěn)定,并表現(xiàn)出更好的電學(xué)性能。若可通過(guò)比濺射、化學(xué)氣相沉積、電沉積等復(fù)雜方法簡(jiǎn)單的途徑制備出上述化合物的納米結(jié)構(gòu)材料,他們將有更加廣闊的應(yīng)用空間。