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            電化學(xué)沉積制備ZnO納米棒陣列薄膜的研究 
            

            編號(hào)：NMJS04805
            

            篇名：電化學(xué)沉積制備ZnO納米棒陣列薄膜的研究 
            

            作者：米龍飛； 趙艷猛； 孫大鵬； 蔣陽
            

            關(guān)鍵詞：電化學(xué)沉積； ZnO； 納米棒陣列； 工藝條件
            

            機(jī)構(gòu)： 合肥工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
            

            摘要： 通過對(duì)不同沉積電壓與沉積時(shí)間的研究,確定了電化學(xué)沉積ZnO納米棒陣列的最佳工藝條件。在-0.5V沉積電壓下沉積20h制備出了ZnO納米棒陣列薄膜,研究結(jié)果表明:納米棒陣列均勻致密,直徑在200nm左右,并且具有高度的c軸擇優(yōu)取向。
            



            

            

            

            


            

            

            

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