磁場對單壁碳納米管電子結(jié)構(gòu)和光學性質(zhì)的影響

編號：NMJS04796

篇名：磁場對單壁碳納米管電子結(jié)構(gòu)和光學性質(zhì)的影響

作者：李勇； 楊謀； 趙紅波；

關(guān)鍵詞：碳納米管； 組態(tài)相互作用； 電子結(jié)構(gòu)； 能級分裂； 激子；

機構(gòu)： 華南師范大學物理與電信工程學院； 亞利桑那大學物理系；

摘要： 我們采用半經(jīng)驗的模型、用單激發(fā)組態(tài)相互作用方法計算并討論了外加軸向磁場對單壁碳納米管電子結(jié)構(gòu)和光學性質(zhì)的影響.由于電子電子間相互作用的影響,磁場導致碳納米管吸收峰能級分裂與磁場不成正比.該結(jié)果與簡單的能帶理論所給出的結(jié)果在低磁場情況下有本質(zhì)的區(qū)別,并與實驗結(jié)果有更高的符合度.該研究進一步證明了電子電子間相互作用以及激子在決定碳納米管電子結(jié)構(gòu)和光學性質(zhì)中的重要作用.