甲烷通氣速率/通氣量對(duì)大量合成SiC一維納米材料的影響規(guī)律

編號(hào)：NMJS04769

篇名：甲烷通氣速率/通氣量對(duì)大量合成SiC一維納米材料的影響規(guī)律

作者：齊學(xué)禮； 李鎮(zhèn)江； 李偉東； 孫莎莎

關(guān)鍵詞：SiC一維納米材料； 化學(xué)氣相反應(yīng)； 宏觀產(chǎn)量； 微觀形貌

機(jī)構(gòu)： 青島科技大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院

摘要： 采用化學(xué)氣相反應(yīng)法(CVR),以球磨后的Si粉、SiO2粉及CH4氣體為原料,鎳為催化劑,在1 250℃下成功制備出大量SiC一維納米材料。著重研究了甲烷通氣速率/通氣量對(duì)產(chǎn)物宏觀產(chǎn)量、微觀形貌的影響規(guī)律。采用掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)、X射線衍射(XRD)等多種測試手段對(duì)所得產(chǎn)物進(jìn)行了表征。結(jié)果表明:隨CH4通氣速率/通氣量的減少,產(chǎn)物宏觀顏色由深藍(lán)色轉(zhuǎn)變成灰白色,納米線直徑變得不均勻,納米線的堆積密度逐漸增大。在通氣速率為0.054L·min-1、通氣時(shí)間36min、通氣量1.4L優(yōu)選工藝條件下,所制備的一維納米材料為帶有少許非晶SiO2包覆層的立方結(jié)構(gòu)的β-SiC。