電場環(huán)境下納米通道內(nèi)水分子傳輸行為的MD模擬研究

編號：NMJS04750

篇名：電場環(huán)境下納米通道內(nèi)水分子傳輸行為的MD模擬研究

作者：李慧； 樊建芬； 宋學增； 劉東顏； 李睿； 陳素芳

關(guān)鍵詞：分子動力學(MD)； 電場； 納米通道； 水分子傳輸；

機構(gòu)： 蘇州大學材料與化學化工學部；

摘要： 納米通道內(nèi)的水分子傳輸是近年來分子動力學(MD)模擬研究的熱點之一。本文綜述了電場對納米通道中水分子傳輸行為影響的研究成果,主要介紹了三種施加電場的方法:在通道附近加電荷、在通道兩側(cè)的水相中加離子或帶電荷的氨基酸以及對納米通道直接施加電場。并報道了各類電場對納米通道內(nèi)水的填充平衡及相變行為、水分子偶極取向、水流量、水擴散速率等產(chǎn)生的影響,以及加電場的各種相關(guān)應用,如水流開關(guān)、信號傳輸、水泵及存儲器等。最后,剖析了電場環(huán)境下MD模擬研究中尚待解決的問題。