SnS殼層厚度對ZnO/SnS核殼結(jié)構(gòu)納米棒光致發(fā)光性能的影響

編號：NMJS04733

篇名：SnS殼層厚度對ZnO/SnS核殼結(jié)構(gòu)納米棒光致發(fā)光性能的影響

作者：何朝輝； 孟秀清

關(guān)鍵詞：ZnO/SnS； 核殼結(jié)構(gòu)納米棒； 光致發(fā)光； Ⅱ型能帶排列

機構(gòu)： 中國科學院半導體研究所

摘要： 通過簡單的水熱法制備了ZnO納米棒,然后成功地在ZnO納米棒上修飾了一層SnS殼層,形成了ZnO/SnS核殼結(jié)構(gòu)納米棒。利用X射線衍射、掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡對上述核殼結(jié)構(gòu)進行了表征。結(jié)果表明制備的ZnO納米棒直徑在20~200nm,長度達1μm,隨著SnS殼層修飾時間的增加殼層厚度逐漸增加。PL分析表明,當SnS殼層厚度很薄時,由于ZnO納米棒表面態(tài)得到了修復,ZnO納米棒的PL強度得到了很好的提升;但當SnS殼層厚度達到一定程度后,該核殼結(jié)構(gòu)會形成一種Ⅱ型能帶排列,這樣該核殼結(jié)構(gòu)的PL強度反而會被降低。