MgB_2超導材料摻雜研究進展

編號：FTJS04020

篇名：MgB_2超導材料摻雜研究進展

作者：付堯； 張松； 吳燕平； 鄧朝勇；

關(guān)鍵詞：MgB2； 臨界電流密度； 上臨界場； SiC摻雜； 有機物摻雜；

機構(gòu)： 貴州大學理學院貴州省電子功能復合材料特色重點實驗室；

摘要： 元素摻雜可以提升MgB2在磁場中的性能,解決其超導性能在磁場環(huán)境下的退化問題,對MgB2超導材料的應用具有重大意義。介紹了元素摻雜MgB2的目的及作用機理,從薄膜、塊材、線帶材3個方面具體綜述了納米SiC和有機物摻雜MgB2超導體的研究進展,系統(tǒng)總結(jié)了燒結(jié)溫度及有機物摻雜量對MgB2超導體的性能影響,深入分析了有機物摻雜改善MgB2超導性能的微觀原因。