雙靶磁控濺射共沉積V-C-Co薄膜的結(jié)構(gòu)及力學(xué)性能

編號：FTJS04018

篇名：雙靶磁控濺射共沉積V-C-Co薄膜的結(jié)構(gòu)及力學(xué)性能

作者：張曉娟； 郭軍； 李朋； 于曉華； 黃峰； 詹肇麟；

關(guān)鍵詞：V-C-Co薄膜； 磁控濺射； 微結(jié)構(gòu)； 力學(xué)性能；

機(jī)構(gòu)： 昆明理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院； 中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所；

摘要： 通過雙靶磁控濺射共沉積法,在硅(100)和康寧玻璃基片上制備了一系列不同Co含量(原子含量0~27.2%)的VC-Co薄膜,并分別用掃描電子顯微鏡及其附帶的X射線能譜儀分析了薄膜的生長結(jié)構(gòu)及成分,用X射線衍射儀分析了薄膜的相組成,用納米壓痕儀分析了薄膜的力學(xué)性能。結(jié)果表明,Co在V-C-Co中以非晶的形式存在,且Co的加入會使VC晶粒尺寸變小,V-C-Co結(jié)晶性變差。隨著Co含量的增加,薄膜呈現(xiàn)出較好的綜合機(jī)械性能,且在含量為11.9%時(shí)達(dá)到最優(yōu)。