H_2流量對直流磁控濺射制備a-Si∶H薄膜微觀結(jié)構(gòu)及光學(xué)性能的影響

編號：CPJS01937

篇名：H_2流量對直流磁控濺射制備a-Si∶H薄膜微觀結(jié)構(gòu)及光學(xué)性能的影響

作者：喬泳彭； 蔣百靈； 魯媛媛； 牛毅； 張巖；

關(guān)鍵詞：直流磁控濺射； H2流量； a-Si∶H薄膜； 光學(xué)性能；

機(jī)構(gòu)： 西安理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院； 西安黃河光伏科技股份有限公司；

摘要： 采用直流磁控濺射法在不同H2流量的條件下制備了a-Si∶H薄膜,研究了H2流量對薄膜微觀結(jié)構(gòu)以及光學(xué)性能的影響。結(jié)果表明:隨H2流量的增加,a-Si∶H薄膜的沉積速率有所下降,但其原子排列的有序度上升,并出現(xiàn)了細(xì)小的納米晶粒,使得薄膜的無序結(jié)構(gòu)得到了一定改善。同時(shí),薄膜的光學(xué)性能也表現(xiàn)出明顯變化,其中透過率持續(xù)上升,而光學(xué)帶隙則呈現(xiàn)出先增大后減小的趨勢。最終得到制備a-Si∶H薄膜的最優(yōu)H2流量為15 sccm。