SnO2納米結(jié)構(gòu)的制備及發(fā)光特性

編號：NMJS04690

篇名：SnO2納米結(jié)構(gòu)的制備及發(fā)光特性

作者：王宇； 李玉國； 方香； 劉永峰

關(guān)鍵詞：碳熱蒸發(fā)； SnO2納米結(jié)構(gòu)； 發(fā)光特性； 氣-液-固(VLS)生長機(jī)制； 可控生長

機(jī)構(gòu)： 山東師范大學(xué)物理與電子科學(xué)學(xué)院

摘要： 以Sn為源,在恒溫1 000℃條件下,利用碳熱蒸發(fā)方式,選取不同的退火時間,在濺射Au膜的Si襯底上生長出不同形貌的SnO2納米結(jié)構(gòu)。采用掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)、X射線衍射(XRD)對納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,結(jié)果表明,Si襯底上生長的是具有金紅石結(jié)構(gòu)的SnO2納米結(jié)構(gòu),此外用光致發(fā)光(PL)對樣品進(jìn)行測試,研究其發(fā)光特性,發(fā)現(xiàn)397 nm的發(fā)光峰是由結(jié)構(gòu)缺陷或者發(fā)光中心如納米晶粒和缺陷造成的,585 nm的發(fā)光峰是氧空位缺陷引起的。在此基礎(chǔ)上對SnO2納米結(jié)構(gòu)的生長機(jī)制進(jìn)行分析,發(fā)現(xiàn)其遵從VLS生長機(jī)制。在恒溫條件下,退火時間對SnO2納米結(jié)構(gòu)的形貌有重要影響,因此可以通過選擇不同的退火時間實現(xiàn)SnO2納米結(jié)構(gòu)的可控生長,得到性能良好的納米結(jié)構(gòu)。