Pd納米晶修飾TiO_2納米管陣列光電極的制備及性能

編號：NMJS04666

篇名：Pd納米晶修飾TiO_2納米管陣列光電極的制備及性能

作者：程修文； 劉惠玲； 李君敬； 陳清華； 于秀娟； 潘國平；

關(guān)鍵詞：TiO2納米管陣列； 光電極； Pd納米晶； 光催化； 甲基藍(lán)；

機(jī)構(gòu)： 哈爾濱工業(yè)大學(xué)市政環(huán)境工程學(xué)院 城市水資源與水環(huán)境國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室； 天津工業(yè)大學(xué)環(huán)境與化學(xué)工程學(xué)院； 黑龍江大學(xué)環(huán)境科學(xué)與工程系；

摘要： 為提高TiO2的可見光催化性能,采用陽極氧化法在Ti箔上原位生成TiO2納米管陣列,再利用陰極電沉積法制備了貴金屬Pd納米晶修飾的TiO2納米管陣列光電極,并利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X-射線光電子能譜(XPS)及紫外-可見漫反射光譜(UV-vis DRS)對其表觀形貌、表面形態(tài)及光吸收性能進(jìn)行表征.結(jié)果表明:Pd納米晶有效地修飾在TiO2納米管陣列的表面,且以Pd0形式存在.此外,Pd納米晶修飾明顯拓展了TiO2納米管陣列的可見光響應(yīng)范圍.以甲基藍(lán)為模型污染物,重點(diǎn)考察陰極沉積電壓及沉積時間對其光催化性能的影響.結(jié)果表明:陰極沉積電壓為-0.8 V、沉積時間為10 min對甲基藍(lán)的光催化降解效果最佳,且符合擬一級反應(yīng)動力學(xué)模型.模擬太陽光下光照120 min對甲基藍(lán)的降解率可達(dá)71.4%,是純TiO2納米管陣列光電極的1.5倍.