堇青石載體上TS-1晶體的生長控制與機理

編號：FTJS04009

篇名：堇青石載體上TS-1晶體的生長控制與機理

作者：祝尊路； 楊立斌； 沙作良；

關(guān)鍵詞：鈦硅分子篩–1； 水熱合成； 堇青石載體； 晶體生長； 納米晶體；

機構(gòu)： 天津市海洋資源與化學重點實驗室,天津科技大學海洋科學與工程學院；

摘要： 以四丙基氫氧化銨(TPAOH)為模板劑,正硅酸乙酯(TEOS)為硅源,鈦酸四丁酯(TBOT)為鈦源,采用水熱合成結(jié)晶法在堇青石載體上結(jié)晶生長TS-1晶體.實驗考察了在175,℃、結(jié)晶時間3,d的條件下,不同水與硅源比例(硅源質(zhì)量分數(shù))、模板劑質(zhì)量分數(shù)對TS-1晶體在堇青石載體上生長及其粒徑的影響;同時通過SEM、ATR-FTIR、XRD表征手段分析TS-1晶體顆粒在堇青石載體上生長機理.結(jié)果表明,TS-1合成前驅(qū)液中硅源和模板劑質(zhì)量分數(shù)直接影響TS-1晶體在堇青石載體上結(jié)晶過程中的骨架膠團濃度和過飽和度,通過控制過飽和度可以調(diào)控堇青石載體上TS-1納米晶體顆粒的大小.