基于朗繆爾探針的硅離子空間分布特性及納米晶粒生長過程研究

編號：NMJS04628

篇名：基于朗繆爾探針的硅離子空間分布特性及納米晶粒生長過程研究

作者：鄧澤超； 劉海燕； 張曉龍； 褚立志； 丁學(xué)成； 秦愛麗； 王英龍

關(guān)鍵詞：納米Si晶薄膜； 脈沖激光燒蝕； 空間分布； 朗繆爾探針

機(jī)構(gòu)： 河北大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,河北省光電信息材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室； 河北大學(xué)工商學(xué)院

摘要： 在室溫、10 Pa氬氣環(huán)境氣體中,采用脈沖激光燒蝕技術(shù),在以燒蝕點(diǎn)為圓心、半徑為2 cm的玻璃弧形支架的不同角度處放置襯底,沉積了納米Si晶薄膜。通過掃描電子顯微鏡、拉曼散射儀對制備樣品的形貌和特性進(jìn)行分析。結(jié)果表明:納米Si晶粒以羽輝軸線為軸呈對稱分布,在軸線處平均尺寸最大,隨著襯底同軸線夾角的增加,晶粒尺寸逐漸減小。結(jié)合朗繆爾探針對空間不同位置羽輝中Si離子密度和熱運(yùn)動(dòng)溫度分布的診斷情況,從晶粒生長過程的角度對其尺寸隨空間位置變化的結(jié)果進(jìn)行了研究,得到了晶粒尺寸正比于燒蝕粒子密度和熱運(yùn)動(dòng)溫度的結(jié)論。