物理熱蒸發(fā)法制備Ga摻雜ZnO納米材料的研究

編號：NMJS04587

篇名：物理熱蒸發(fā)法制備Ga摻雜ZnO納米材料的研究

作者：雷曼； 范新會； 于靈敏； 陳建； 韋建松；嚴(yán)文

關(guān)鍵詞：熱蒸發(fā)法； ZnO納米材料； Ga摻雜； 結(jié)構(gòu)； 形貌； 光致發(fā)光

機(jī)構(gòu)： 西安工業(yè)大學(xué)材料與化工學(xué)院

摘要： 采用物理熱蒸發(fā)鋅(Zn)粉與三氧化二鎵(Ga2O3)粉的方法,制備出不同形貌的Ga摻雜納米ZnO。利用XRD、SEM、TEM對產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行了分析。結(jié)果表明,所生成的產(chǎn)物是具有六方結(jié)構(gòu)的單晶ZnO,其中4%Ga摻雜的ZnO納米結(jié)構(gòu)呈標(biāo)槍狀,與呈線狀、未摻雜的ZnO形貌差異較大。在PL檢測中發(fā)現(xiàn)Ga摻雜使光致發(fā)光綠光峰強(qiáng)度增加,并且4%Ga摻雜時其綠光峰強(qiáng)度最大。在隨后的XPS檢測中發(fā)現(xiàn)Ga摻雜使得ZnO中氧空位缺陷增多,這是PL中綠光峰出現(xiàn)和強(qiáng)度變化的原因。