AFM制備納米氧化點的研究

編號：NMJS04547

篇名：AFM制備納米氧化點的研究

作者：王加科； 董正超； 程顯東

關(guān)鍵詞：AFM； 氧化點； 納米工藝； 偏置電壓； 環(huán)境濕度；

機構(gòu)： 長春理工大學(xué)光電工程學(xué)院； 吉林省高等教育自學(xué)考試委員會辦公室；

摘要： 結(jié)合壓力傳感器氧化絕緣納米結(jié)構(gòu)的制作,研究了基于AFM的納米陽極氧化加工過程中偏置電壓與環(huán)境溫度、濕度等對氧化點尺寸的影響。實驗結(jié)果表明,氧化點的尺寸隨偏置電壓和環(huán)境濕度的增大而增大,但過高的偏置電壓和環(huán)境溫度將會造成氧化點表面產(chǎn)生臺階現(xiàn)象;環(huán)境溫度22℃,偏置電壓8V,環(huán)境濕度50%,氧化時間8s,對于n型Si(100)的氧化加工而言是相對合適的加工參數(shù)。