電場和線度對半導(dǎo)體納米管譜線強(qiáng)度和吸收系數(shù)的影響

編號：NMJS04509

篇名：電場和線度對半導(dǎo)體納米管譜線強(qiáng)度和吸收系數(shù)的影響

作者：吳強(qiáng)；

關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體納米管； 吸收系數(shù)； 譜線強(qiáng)度； 頻率；

機(jī)構(gòu)： 重慶文理學(xué)院電子電氣工程學(xué)院；

摘要： 建立在無限深勢阱下的半導(dǎo)體納米管物理模型,在偶極近似下,求出半導(dǎo)體納米管的譜線吸收系數(shù)、強(qiáng)度和頻率.以HgS為管層,CdS為內(nèi)核和外殼的半導(dǎo)體納米管為例,探討了線度和電場對譜線吸收系數(shù)和強(qiáng)度以及頻率的影響,結(jié)果表明:在相同線度下,不同能帶不同能級間的量子躍遷發(fā)出譜線的頻率和強(qiáng)度遠(yuǎn)大于同能帶不同能級的情形,見到的譜線基本上是由不同能帶不同能級躍遷時所發(fā)出;譜線的吸收系數(shù)和強(qiáng)度以及頻率均隨電場增大而增大;電場一定時,譜線的強(qiáng)度和吸收系數(shù)隨線度增大而增大;譜線的吸收系數(shù)主要取決于電場和能級的躍遷情況,而與是否屬同一能帶無關(guān).