<b id="acoce"></b>
<mark id="acoce"></mark>

  • <bdo id="acoce"><optgroup id="acoce"></optgroup></bdo>
      <samp id="acoce"><strong id="acoce"><u id="acoce"></u></strong></samp>
          1. 精品综合久久久久久97_亚洲国产精品久久久久婷婷老年_成人区人妻精品一区二区三区_国产精品JIZZ在线观看老狼_国产欧美精品一区二区三区

            資料中心

            火焰法制備Al/MoO3納米片陣列的影響因素

            編號(hào):NMJS04465

            篇名:火焰法制備Al/MoO3納米片陣列的影響因素

            作者:趙娜; 沈金朋; 李瑞; 楊光成; 黃輝

            關(guān)鍵詞:應(yīng)用化學(xué); 含能材料; Al/MoO3; 亞穩(wěn)態(tài)分子間復(fù)合物(MIC); 火焰法

            機(jī)構(gòu): 西南科技大學(xué); 中國(guó)工程物理研究院化工材料研究所

            摘要: 亞穩(wěn)態(tài)分子間復(fù)合物(MIC)陣列由于具有高能量密度、小尺寸條件下能自持反應(yīng)的優(yōu)點(diǎn),在集成化火工品方面具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。采用火焰法在硅基底上原位制備了高度有序的MoO3納米片陣列,探討了基底材料、納米陣列生長(zhǎng)時(shí)間、火焰源因素對(duì)生成MoO3形貌的影響,得到了MoO3納米片陣列的優(yōu)化制備工藝條件:以硅片為基底,生長(zhǎng)時(shí)間為5 min和甲烷為火焰源。制備的納米片厚度為100~200 nm,寬度約5μm,長(zhǎng)度達(dá)到十幾個(gè)微米。分別采用磁控濺射和熱蒸發(fā)在MoO3納米片陣列表面鍍鋁得到Al/MoO3M IC陣列,在鋁膜厚度相同的情況下,采用熱蒸發(fā)鍍鋁方式優(yōu)于磁控濺射。熱蒸發(fā)鋁膜厚度為900 nm時(shí),所獲得的Al/M oO3M IC陣列具有較高的放熱量,達(dá)到3276 J·g-1。

            最新資料
            下載排行

            關(guān)于我們 - 服務(wù)項(xiàng)目 - 版權(quán)聲明 - 友情鏈接 - 會(huì)員體系 - 廣告服務(wù) - 聯(lián)系我們 - 加入我們 - 用戶反饋
            狂野欧美性猛交xxxx_亚洲国产精品久久久久婷婷老年_成人区人妻精品一区二区三区_国产精品JIZZ在线观看老狼
            <b id="acoce"></b>
            <mark id="acoce"></mark>

          2. <bdo id="acoce"><optgroup id="acoce"></optgroup></bdo>
              <samp id="acoce"><strong id="acoce"><u id="acoce"></u></strong></samp>