熔鹽電解SiO_2/C直接制備SiC納米線

編號：NMJS04432

篇名：熔鹽電解SiO_2/C直接制備SiC納米線

作者：趙春榮； 楊娟玉； 盧世剛；

關(guān)鍵詞：SiC納米線； 電解還原； 二氧化硅； 酚醛樹脂；

機構(gòu)： 京有色金屬研究總院；

摘要： 采用納米SiO2和酚醛樹脂為原料制備酚醛樹脂裂解碳納米SiO2復合陰極(硅碳物質(zhì)的量的比為1∶1),直接電解PFC/SiO2復合陰極,在900℃熔融鹽CaCl2中,恒槽壓2.0 V下電解,制備出碳化硅納米線。采用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)及其附帶的能譜儀、X射線分析衍射儀(XRD)和拉曼光譜(Raman)對產(chǎn)物的組成、形貌、微觀結(jié)構(gòu)等進行了表征。結(jié)果表明:碳化硅納米線呈立方晶體結(jié)構(gòu),其直徑為4～13 nm,長可達數(shù)微米;室溫下該納米線在415 nm和534 nm附近有寬的發(fā)光峰。最后,討論了碳化硅納米線的生成機制。