基于直流磁控濺射晶種層的ZnO納米陣列的制備及性能研究

編號：NMJS04430

篇名：基于直流磁控濺射晶種層的ZnO納米陣列的制備及性能研究

作者：王璟； 丁雨田； 張楊； 陳小焱； 張增明； 尚興記；

關(guān)鍵詞：直流磁控濺射； 晶種層薄膜； 納米陣列； ZnO；

機構(gòu)： 蘭州理工大學(xué)甘肅省有色金屬新材料省部共建國家重點實驗室；

摘要： 采用直流反應(yīng)磁控濺射法制備晶種層薄膜,研究O2/Ar氣體分壓比和退火溫度對晶種層結(jié)構(gòu)和微觀形貌的影響。通過化學(xué)水浴沉積,在預(yù)制有晶種層的薄膜上制備ZnO納米陣列結(jié)構(gòu),研究不同前驅(qū)體濃度和預(yù)制晶種層對納米陣列生長的影響。結(jié)果表明,當O2/Ar中O2分壓減少,薄膜均勻性較差,當Ar分壓增加薄膜由于擴散而趨于平整。退火溫度增加,晶粒尺寸增大,內(nèi)應(yīng)力降低。磁控濺射法預(yù)制的晶種層上生長的納米棒垂直于襯底生長,(002)晶面的衍射峰強最高,說明納米棒沿c軸擇優(yōu)取向。生長液的濃度對納米棒的形貌影響顯著,隨著生長液濃度的升高,ZnO納米陣列直徑增大,頂端趨于平整的六棱柱結(jié)構(gòu)。