一維Ga2O3納米材料及其光電導(dǎo)性能研究進展

編號：NMJS04414

篇名：一維Ga2O3納米材料及其光電導(dǎo)性能研究進展

作者：段艷廷； 趙登； 張瑞平； 邢杰； 郝會穎； 董敬敬

關(guān)鍵詞：三氧化二鎵； 一維納米材料； 光電導(dǎo)

機構(gòu)： 中國地質(zhì)大學(xué)(北京) 數(shù)理學(xué)院； 中國地質(zhì)大學(xué)(北京)地球物理與信息技術(shù)學(xué)院； 中國地質(zhì)大學(xué)(北京)信息工程學(xué)院

摘要： 一維納米材料以其特殊的物理和化學(xué)性質(zhì)成為了現(xiàn)在納米材料研究的熱點。目前國內(nèi)對一維納米材料研究主要體現(xiàn)在兩方面:一是一維納米材料的制備;二是納米材料的功能器件研究,如光電探測器、氣敏探測器等。本文綜述了一維Ga2O3納米材料的幾種常用的制備方法,包括工藝參數(shù)及生長機理,并簡單介紹了Ga2O3光電導(dǎo)探測器的工作原理及最近的研究成果。