摻雜香豆素6的雜化納米顆粒的制備及熒光性能研究(英文)

編號(hào)：NMJS04275

篇名：摻雜香豆素6的雜化納米顆粒的制備及熒光性能研究(英文)

作者：香豆素6； 熒光； 雜化納米顆粒； 濃度猝滅；

關(guān)鍵詞：香豆素6； 熒光； 雜化納米顆粒； 濃度猝滅；香豆素6； 熒光； 雜化納米顆粒； 濃度猝滅；

機(jī)構(gòu)： 北京交通大學(xué)光電子技術(shù)研究所 教育部發(fā)光與光學(xué)信息重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；

摘要： 采用一種再沉淀-封裝法制備了摻雜香豆素6(C6)的雜化熒光納米顆粒,并通過SEM和DLS對(duì)其進(jìn)行了形貌和粒徑大小表征。在450 nm光激發(fā)下,制備的C6摻雜納米顆粒表現(xiàn)出綠色熒光。通過比較光致發(fā)光光譜隨摻雜濃度的變化,得出C6摻雜納米顆粒的濃度猝滅是因?yàn)榉肿娱g能量轉(zhuǎn)移而非C6分子聚集所致。另外,由于所選聚合物基質(zhì)材料PS和PMMA分子結(jié)構(gòu)的區(qū)別,導(dǎo)致PS-基質(zhì)和PMMA-基質(zhì)的納米顆粒的光譜形狀不同。C 6分子在PS-基質(zhì)的納米顆粒中處于兩種不同的微環(huán)境,所以發(fā)射峰較寬;PMMA是線性分子,PMMA-基質(zhì)的納米顆粒中只存在一種局域環(huán)境,所以發(fā)射峰較窄。高的摻雜濃度會(huì)超過納米顆粒對(duì)C6分子的負(fù)載能力,從而導(dǎo)致C6分子在水溶液中聚集。