低能離子束誘導(dǎo) Ag 表面納米金字塔微結(jié)構(gòu)

編號(hào)：NMJS04253

篇名：低能離子束誘導(dǎo) Ag 表面納米金字塔微結(jié)構(gòu)

作者：陳智利1； 2； 劉衛(wèi)國(guó)1； 2； 張錦2； 王蒙皎2

關(guān)鍵詞：微納米制造技術(shù)； 低能離子束刻蝕； 自組裝納米結(jié)構(gòu)； 離子束輔助； 銀金字塔微結(jié)構(gòu)

機(jī)構(gòu)： 微納米制造技術(shù)； 低能離子束刻蝕； 自組裝納米結(jié)構(gòu)； 離子束輔助； 銀金字塔微結(jié)構(gòu)

摘要： 利用離子束濺射誘導(dǎo)實(shí)驗(yàn)方法，在單晶 Si（100）基底上輔助沉積銀膜，研究了低能+Ar離子束 30°入射時(shí)，不同離子束能量和束流密度，以及基底溫度對(duì) Ag 納米結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果表明：在較低基底溫度下（32°C ~100°C）輔助沉積銀膜，膜層表面會(huì)呈現(xiàn)排列緊密、晶粒尺寸一致的金字塔狀納米結(jié)構(gòu)。當(dāng)溫度升高時(shí)（32°C ~200°C），納米微結(jié)構(gòu)橫向尺寸λc 迅速增加，而粗糙度先減小(32℃～100℃)后迅速增大(100℃～200℃)； 當(dāng)離子束能量 1400eV、束流密度 15μA /cm2～45μA/cm2時(shí)，在相同溫度下，隨著離子束束流密度的增大，納米晶粒橫向尺寸基本不變，粗糙度略有增加；當(dāng)離子束流密度為 15μA/cm2、能量 1000eV～1800eV 時(shí)，在相同溫度下，隨著離子束能量的增加，銀納米結(jié)構(gòu)尺寸增加，而表面粗糙度先增加，然后緩慢減小。自組織納米結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變是濺射粗糙化和表面馳豫機(jī)制相互作用的結(jié)果。