納米壓印多孔硅模板的研究

編號：NMJS04239

篇名：納米壓印多孔硅模板的研究

作者：張錚； 徐智謀； 孫堂友； 徐海峰； 陳存華； 彭靜；

關鍵詞：納米壓印； 陽極氧化鋁； 多孔硅； 拉曼光譜；

機構： 華中科技大學光學與電子信息學院； 中師范大學化學學院； 武漢科技大學理學院；

摘要： 納米壓印模板通常采用極紫外光刻、聚焦離子束光刻和電子束光刻等傳統(tǒng)光刻技術制備,成本較高.尋找一種簡單、低成本的納米壓印模板制備方法以提升納米壓印光刻技術的應用成為研究的重點與難點.本文以多孔氧化鋁為母模板,采用納米壓印光刻技術對納米多孔硅模板的制備進行了研究.在硅基表面成功制備出納米多孔陣列結構,孔間距為350—560nm,孔徑在170—480nm,孔深為200nm.在激發(fā)波長為514nm時,拉曼光譜的測試結果表明,相對于單面拋光的硅片,納米多孔結構的硅模板拉曼光強有了約12倍左右的提升,對提升硅基光電器件的應用具有重要的意義.最后,利用多孔硅模板作為納米壓印母模板,通過熱壓印技術,成功制備出了聚合物納米柱軟模板.