硅納米線的化學氣相沉積法合成

編號：NMJS04234

篇名：硅納米線的化學氣相沉積法合成

作者：王永成； 唐靜； 鄭耿鋒；

關(guān)鍵詞：硅納米線； 化學氣相沉積法； 單一結(jié)構(gòu)； 復合結(jié)構(gòu)； 摻雜；

機構(gòu)： 復旦大學化學系先進材料實驗室；

摘要： 硅納米線是近十幾年來在納米科學與技術(shù)領(lǐng)域快速發(fā)展的一種重要材料.通過精細的結(jié)構(gòu)設(shè)計與材料合成,硅納米線在生物傳感、鋰離子電池、太陽能電池和光電化學等領(lǐng)域展示出良好的應用前景.化學氣相沉積(CVD)法是一大類重要的自下而上合成硅納米線方法.本文簡介了CVD法合成硅納米線的主要進展,包括具有單一結(jié)構(gòu)和復合結(jié)構(gòu)的硅納米線的合成.其中,單一結(jié)構(gòu)的硅納米包括本征(無摻雜)、摻雜和超長的硅納米線;復合結(jié)構(gòu)的硅納米線包括軸向異質(zhì)結(jié)、徑向異質(zhì)結(jié)、轉(zhuǎn)折結(jié)構(gòu)和樹枝狀結(jié)構(gòu)的硅納米線.