Al/Cu鍵合系統(tǒng)中金屬間化合物的形成規(guī)律及防止方法

編號：FTJS03928

篇名：Al/Cu鍵合系統(tǒng)中金屬間化合物的形成規(guī)律及防止方法

作者：岳安娜； 彭坤； 周靈平； 朱家��； 李德意；

關(guān)鍵詞：Al/Cu鍵合； 金屬間化合物； 擴(kuò)散； Ti過渡層；

機(jī)構(gòu)： 湖南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院；

摘要： Al/Cu鍵合界面金屬間化合物的形成是導(dǎo)致微電子器件失效的重要因素之一,總結(jié)了微電子器件生產(chǎn)和使用過程中Al/Cu鍵合界面金屬間化合物的生長規(guī)律,分析了Al/Cu鍵合系統(tǒng)的失效機(jī)制。熱超聲鍵合過程中,Al焊盤上氧化鋁層的破裂使金屬間化合物的形成成為可能,鍵合及器件使用過程中,金屬間化合物和柯肯德爾空洞的形成和長大最終導(dǎo)致鍵合失效。采用在Al焊盤上鍍覆Ti過渡層的方法,可有效降低鍵合系統(tǒng)中Cu原子的擴(kuò)散速度,抑制金屬間化合物的生長,從而提高電子元器件的可靠性。