ALD氧化鋁薄膜介電性能及其在硅電容器的應(yīng)用

編號：FTJS03923

篇名：ALD氧化鋁薄膜介電性能及其在硅電容器的應(yīng)用

作者：電子與封裝 2013年09期

關(guān)鍵詞：硅基電容器； 三氧化二鋁； 深槽； 介電特性； 原子層沉積；

機構(gòu)： 中國電子科技集團公司第58研究所；

摘要： 硅基高密度電容器是利用半導(dǎo)體3D深硅槽技術(shù)和應(yīng)用高介電常數(shù)(高K)材料制作的電容。相比鉭電容和多層陶瓷電容(MLCC),硅基電容具有十年以上的壽命、工作溫度范圍大、容值溫度系數(shù)小以及損耗低等優(yōu)點。文章研究原子層沉積(ALD)制備的Al2O3薄膜的介電特性,通過優(yōu)化ALD原子沉積溫度和退火工藝,發(fā)現(xiàn)在沉積溫度420℃和O3氣氛退火5 min下,ALD生長的Al2O3薄膜擊穿強度可大于0.7 V/nm,相對介電常數(shù)達8.7。制成的硅基電容器電容密度達到50 nF/mm2,漏電流小于5 nA/mm2。