低能離子束誘導單晶硅點狀納米結(jié)構(gòu)與光學性能研究

編號：NMJS04183

篇名：低能離子束誘導單晶硅點狀納米結(jié)構(gòu)與光學性能研究

作者：陳智利； 劉衛(wèi)國；

關鍵詞：表面光學； 微納米制造技術； 自組織納米結(jié)構(gòu)； 低能離子束刻蝕； 表面形貌； 光學透射率；

機構(gòu)： 西安電子科技大學微電子學院；

摘要： 使用微波回旋共振離子源,研究了低能Ar+束在不同入射角度下對旋轉(zhuǎn)單晶硅(100)表面的刻蝕效果及其光學性能。結(jié)果表明:樣品旋轉(zhuǎn)、離子束能量為1000eV、束流密度為265μA/cm2、刻蝕時間為60min時,在不同入射角度下,刻蝕后的樣品表面可形成均勻的自組裝點狀結(jié)構(gòu)。入射角度為0°～25°時,隨著角度增加,樣品表面粗糙度增大,點狀結(jié)構(gòu)有序性更強,光學透射率提高;繼續(xù)增加入射角度,樣品表面粗糙度及點狀結(jié)構(gòu)尺寸開始減小,光學透射率降低;增加入射角度到45$時,自組裝點狀結(jié)構(gòu)消失,粗糙度和平均光學透射率達到最小值分別為0.83nm和55.05%;進一步增加入射角度,樣品表面再次出現(xiàn)自組織裝點狀結(jié)構(gòu),表面粗糙度急劇增大,入射角度在65$時,平均光學透射率達到極大值64.59%;此后,隨著離子束入射角度的增加,表面粗糙度緩慢減小,光學透射率降低。自組織結(jié)構(gòu)變化是濺射粗糙化和表面弛豫機制相互作用的結(jié)果。