DC-HCPCVD法高CH_4流量下納米金剛石膜的制備及生長特性研究

編號：NMJS04154

篇名：DC-HCPCVD法高CH_4流量下納米金剛石膜的制備及生長特性研究

作者：吳春雷； 黃海亮； 鄭友進； 李明； 張軍；

關(guān)鍵詞：直流熱陰極； 納米金剛石膜； CH4流量；

機構(gòu)： 牡丹江師范學(xué)院理學(xué)院； 牡丹江師范學(xué)院新型碳基功能與超硬材料黑龍江省重點實驗室； 牡丹江師范學(xué)院工學(xué)院；

摘要： 在CH4/H2氣氛下,利用直流熱陰極PCVD(plasma chemical vapor deposition)設(shè)備,在高CH4流量下制備納米金剛石膜。對制備的樣品通過掃描電子顯微鏡、拉曼光譜儀、X射線衍射儀對其進行表征。結(jié)果表明:隨著CH4流量的增加,晶粒尺寸明顯減小,表面變得更加平滑,但非金剛石相增多,膜的品質(zhì)下降。同時CH4流量增加,促進了(110)面的生長,當(dāng)CH4流量達到12 sccm,具有(110)方向的擇優(yōu)取向。