熱沉積法制備納米二硫化鉬薄膜及其光電特性研究

編號(hào)：NMJS04142

篇名：熱沉積法制備納米二硫化鉬薄膜及其光電特性研究

作者：何杰； 陳康燁； 林拉； 張國瑞； 顧偉霞； 馬錫英

關(guān)鍵詞：二硫化鉬； 納米薄膜； 熱蒸發(fā)沉積

機(jī)構(gòu)： 蘇州科技學(xué)院數(shù)理學(xué)院

摘要： 以MoS2粉末為原料,以氬氣為攜載氣體,在400~600℃溫度范圍內(nèi)利用熱蒸發(fā)方法在硅襯底表面制備了不同厚度的MoS2薄膜.利用X射線衍射和掃描電子顯微鏡分析了MoS2薄膜的結(jié)構(gòu)和表面形貌,發(fā)現(xiàn)MoS2薄膜由多晶MoS2粒子組成,顆粒均勻,平均納米顆粒尺寸約為60nm.利用紫外可見光光譜儀測(cè)量了其吸收特性,發(fā)現(xiàn)樣品在720nm附近有很強(qiáng)的吸收.應(yīng)用霍爾效應(yīng)和伏安法研究了MoS2/Si樣品的接觸特性和電子的運(yùn)輸特性,發(fā)現(xiàn)該異質(zhì)結(jié)具有良好的整流特性,即正向電壓下電流隨電壓呈指數(shù)增長,而在反向偏壓下漏電流很小,電子遷移率可達(dá)到6.730×102 cm2/(V·s).實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明MoS2薄膜具有良好的電學(xué)特性,可用來制備晶體管和集成電路等器件.