大面積均勻平坦納米AlN薄膜的研制

編號：NMJS04125

篇名：大面積均勻平坦納米AlN薄膜的研制

作者：朱宇清； 陳希明； 李福龍； 李曉偉； 楊保和；

關(guān)鍵詞：氮化鋁(AlN)薄膜； 聲表面波(SAW)； 表面粗糙度； 均勻性；

機(jī)構(gòu)： 天津理工大學(xué)電子信息工程學(xué)院,天津市薄膜電子與通信器件重點(diǎn)實驗室；

摘要： 采用射頻磁控濺射法,通過優(yōu)化沉積工藝,在n型(100)Si片上制備出(100)擇優(yōu)取向表面粗糙度均勻的氮化鋁(AlN)薄膜。當(dāng)濺射功率為120 W和N2∶Ar=12∶8時,制備的AlN薄膜的結(jié)晶性最好,101.6mm AlN薄膜樣品的表面粗糙度為3.31-3.03nm,平均值為3.17nm。研究結(jié)果表明:射頻磁控濺射能量和N2濃度是實現(xiàn)大面積、均勻平坦、納米級AlN薄膜的重要制備工藝參數(shù)。