CdTe量子點敏化TiO_2納米棒光電極的制備及分析

編號：NMJS04099

篇名：CdTe量子點敏化TiO_2納米棒光電極的制備及分析

作者：鄭丹； 趙鑫；

關(guān)鍵詞：TiO2納米棒； 量子點； 電化學(xué)沉積法； 沉積電量； 光電極； 核殼結(jié)構(gòu)； 飽和光電流密度；

機構(gòu)： 武漢軟件工程職業(yè)學(xué)院光電子與通訊工程系； 湖北大學(xué)物電學(xué)院；

摘要： 利用電化學(xué)沉積法在TiO2納米棒陣列上沉積了CdTe量子點,通過調(diào)節(jié)沉積時的電量使整個TiO2納米棒上覆蓋了致密均勻的CdTe量子點,CdTe和TiO2形成了核殼結(jié)構(gòu)。研究了沉積電量對FTO/TiO2/CdTe光電極的結(jié)構(gòu)及光電性能的影響,發(fā)現(xiàn)隨著沉積電量的增大,FTO/TiO2/CdTe光電極的吸收邊發(fā)生紅移。當(dāng)沉積電量為0.9C時,在光強為0.1 W/cm2、AM 1.5 G標(biāo)準(zhǔn)模擬太陽光照射下,所制光電極產(chǎn)生最大的飽和光電流密度3.23×10–3A/cm2。