Ar流量對ECR-PECVD制備氫化納米晶硅薄膜結(jié)構(gòu)及性能影響研究

編號：NMJS04079

篇名：Ar流量對ECR-PECVD制備氫化納米晶硅薄膜結(jié)構(gòu)及性能影響研究

作者：張學(xué)宇； 吳化； 劉耀東； 吳愛民；

關(guān)鍵詞：nc-Si∶H； Ar/H2； 等離子體診斷； ECR-PECVD；

機(jī)構(gòu)： 長春工業(yè)大學(xué)先進(jìn)結(jié)構(gòu)材料教育部重點實驗室； 大連理工大學(xué)三束材料改性教育部重點實驗室；

摘要： 采用電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(ECR-PECVD)設(shè)備制備了氫化納米晶硅薄膜。通過Raman光譜、XRD和紫外-可見分光光度計的測試分析,研究了Ar/H2對薄膜組織結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響,并對沉積腔室的等離子體環(huán)境進(jìn)行了系統(tǒng)的診斷。實驗發(fā)現(xiàn):少量Ar氣的通入有利于提高腔室中的電子溫度,保證納米晶硅薄膜結(jié)構(gòu)的同時提高薄膜的光學(xué)帶隙寬度。進(jìn)一步提高Ar氣的比例,薄膜明顯非晶化,光學(xué)性能下降。結(jié)合薄膜生長機(jī)理和放電氣體電離特性對實驗結(jié)果的產(chǎn)生原因進(jìn)行了分析。