導電活性碳層/碳紙基底上碳納米管陣列的可控制備

編號：NMJS04000

篇名：導電活性碳層/碳紙基底上碳納米管陣列的可控制備

作者：黃彥芳； 李瑜； 李一兵； 張忠林； 段東紅； 郝曉剛； 劉世斌

關(guān)鍵詞：碳納米管陣列； 化學氣相沉積； 催化劑前驅(qū)體預置； 可控制備； 工藝參數(shù)

機構(gòu)： 太原理工大學潔凈化工研究所

摘要： 通過熱催化化學氣相沉積法,在催化劑前驅(qū)體預置法處理過的碳紙上制備出了定向生長的碳納米管陣列,并使用掃描電子顯微鏡(SEM)考察了反應溫度、反應混合氣線速度等工藝條件對定向碳納米管陣列微觀形貌的影響。研究表明:反應區(qū)溫度在750～800℃,碳源二甲苯的摩爾分數(shù)4.6%,反應混合氣線速度為1.40 cm/s,二茂鐵與二甲苯摩爾比為1∶50～1∶30時能夠獲得定向生長的碳納米管陣列,管徑范圍為30～40 nm。在二甲苯中添加少量乙醇時,碳納米管聚集成獨立束狀結(jié)構(gòu),其生長速率較大,管的長度較大。在實驗的基礎上,初步探討了在導電碳黑層基底上碳納米管陣列定向生長的機理。