ZnS修飾對(duì)ZnO納米棒:P3HT復(fù)合薄膜I-V性質(zhì)的影響

編號(hào)：NMJS03926

篇名：ZnS修飾對(duì)ZnO納米棒:P3HT復(fù)合薄膜I-V性質(zhì)的影響

作者：王麗師； 徐建萍； 石少波； 張曉松； 任志瑞； 葛林； 李嵐

關(guān)鍵詞：ZnO納米棒陣列； 表面修飾； 電流-電壓特性

機(jī)構(gòu)： 天津理工大學(xué)電子信息工程學(xué)院； 天津理工大學(xué)材料物理研究所； 天津職業(yè)技術(shù)師范大學(xué)理學(xué)院

摘要： 本文通過化學(xué)浴沉積法獲得了直徑約為50nm,長度約為250nm的ZnO納米棒陣列,引入納米ZnS對(duì)ZnO納米棒進(jìn)行表面修飾,分別制備得到了具有ITO(indium tin oxides)/ZnO/Poly-(3-hexylthiophene)(P3HT)/Au和ITO/ZnO@ZnS/P3HT/Au結(jié)構(gòu)的多層器件.通過I-V曲線對(duì)比討論了兩種結(jié)構(gòu)器件的開啟電壓,串聯(lián)電阻,反向漏電流及整流比等參數(shù),認(rèn)為包含ZnS修飾層器件的開啟電壓、串聯(lián)電阻、反向漏電流明顯降低,整流比顯著增強(qiáng),展現(xiàn)出更優(yōu)異的電子傳輸性能.光致發(fā)光光譜分析結(jié)果證實(shí)由于ZnS使ZnO納米棒的表面缺陷產(chǎn)生的非輻射復(fù)合被明顯抑制,弱化了電場激發(fā)下的載流子陷獲,改善了器件的導(dǎo)電特性.