納米表面二維周期半圓凹槽增強(qiáng)硅薄膜太陽(yáng)能電池光吸收

編號(hào)：NMJS03883

篇名：納米表面二維周期半圓凹槽增強(qiáng)硅薄膜太陽(yáng)能電池光吸收

作者：劉震； 王玉曉； 宋瑛林； 張學(xué)如

關(guān)鍵詞：硅薄膜； 半圓凹槽； 吸收增強(qiáng)

機(jī)構(gòu)： 哈爾濱工業(yè)大學(xué)物理系

摘要： 利用時(shí)域有限差分方法,研究硅薄膜上下表面周期半圓凹槽結(jié)構(gòu)對(duì)于太陽(yáng)光吸收的增強(qiáng)效應(yīng).研究發(fā)現(xiàn)這種結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)光寬波段的光吸收增強(qiáng),通過(guò)調(diào)節(jié)SiO2表面減反層厚度和凹槽半徑長(zhǎng)度來(lái)實(shí)現(xiàn)薄膜太陽(yáng)能電池最大的光吸收,并實(shí)現(xiàn)了波長(zhǎng)在300—1000nm范圍的太陽(yáng)光吸收總能量比沒(méi)有這種結(jié)構(gòu)下硅薄膜光吸收提高了約117%.