Cu箔襯底上石墨烯納米結(jié)構(gòu)制備

編號：NMJS03837

篇名：Cu箔襯底上石墨烯納米結(jié)構(gòu)制備

作者：葛雯； 呂斌；

關(guān)鍵詞：石墨烯； CVD； 石墨烯形貌；

機構(gòu)： 浙江大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)系硅材料國家重點實驗室；

摘要： 采用低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)在Cu箔上制備出了單層石墨烯納米結(jié)構(gòu),用掃描電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)和拉曼光譜等對其結(jié)構(gòu)和形貌等進行了表征。在此基礎(chǔ)上,通過調(diào)節(jié)生長參數(shù),制備多種形貌的石墨烯結(jié)構(gòu),著重探索了在生長溫度為1000℃、生長時間為2min時,CH4∶H2、生長壓強和襯底晶體取向?qū)κ�墨烯初始形貌的影響�?guī)律,石墨烯的形貌主要取決于C的擴散/沉積和H2對石墨烯的刻蝕,當(dāng)氫氣的刻蝕作用占主導(dǎo)地位時,石墨烯為規(guī)則的六邊形,當(dāng)C的擴散/沉積占主導(dǎo)作用時,C沿著特定的方向擴散快,形成花狀形貌;而背電子散射衍射(EBSD)研究表明,襯底Cu箔的取向?qū)κ�墨烯形貌的影響不明顯,沒有觀察到襯底取向與石墨烯結(jié)構(gòu)之間的直接聯(lián)系。