電場中不同能量密度激光燒蝕制備納米硅晶粒分布特性

編號：NMJS03832

篇名：電場中不同能量密度激光燒蝕制備納米硅晶粒分布特性

作者：鄧澤超； 胡自強； 張曉龍； 褚立志； 丁學成； 梁偉華； 王英龍；

關鍵詞：脈沖激光燒蝕； 電場； 朗繆爾探針； 成核區(qū)；

機構： 河北大學物理科學與技術學院,河北省光電信息材料重點實驗室；

摘要： 在室溫和10 Pa氬氣環(huán)境中,引入平行于靶面方向的直流電場,通過改變脈沖激光能量密度燒蝕單晶硅靶,在與羽輝軸線呈不同角度的襯底上沉積納米硅晶薄膜。利用掃描電子顯微鏡和拉曼散射譜對沉積樣品進行分析,結果表明:隨著激光能量密度的增加,位于相同角度襯底上的晶粒尺寸和面密度逐漸變大;在同一激光能量密度下,零度角處襯底上的晶粒尺寸和面密度最大,且靠近接地極板處的值比與之對稱角度處略大。通過朗繆爾探針對不同能量密度下燒蝕羽輝中硅離子密度變化的診斷、結合成核區(qū)內(nèi)晶粒成核生長動力學過程,對晶粒分布特性進行了分析。