微立方結(jié)構(gòu)基底上生長碳納米管薄膜的強流脈沖發(fā)射特性

編號：NMJS03790

篇名：微立方結(jié)構(gòu)基底上生長碳納米管薄膜的強流脈沖發(fā)射特性

作者：麻華麗； 張新月； 霍海波； 曾凡光； 王淦平； 向飛；

關(guān)鍵詞：強流脈沖發(fā)射； 碳納米管； 微立方陣列； 線性增加； 穩(wěn)定性；

機構(gòu)： 鄭州航空工業(yè)管理學院數(shù)理系； 中國工程物理研究院應(yīng)用電子學研究所,高功率微波技術(shù)重點實驗室；

摘要： 采用酞氰鐵高溫熱解方法在具有微立方結(jié)構(gòu)的化學鍍鎳硅基底上生長了碳納米管薄膜(Si/Ni-CNTs),并在20GW脈沖功率源系統(tǒng)中采用二極結(jié)構(gòu)對其強流脈沖發(fā)射特性進行了研究。研究結(jié)果表明,在單脈沖發(fā)射條件下,隨脈沖電場峰值的增大,Si/Ni-CNTs薄膜的發(fā)射電流峰值呈線性增加,當宏觀場強達到31.4 V/μm時,發(fā)射脈沖電流的峰值可達到14.74kA,對應(yīng)的發(fā)射電流密度1.23kA/cm2,在相同峰值,連續(xù)多脈沖情況下,碳納米管薄膜具有良好的發(fā)射可重復性,且發(fā)射性能穩(wěn)定。