靜電紡絲制備La3Si8O4N11:Ln(Ln=Ce3+、Sm3+)納米纖維及其發(fā)光性能研究

編號：NMJS03747

篇名：靜電紡絲制備La3Si8O4N11:Ln(Ln=Ce3+、Sm3+)納米纖維及其發(fā)光性能研究

作者：丁狄； 王宏志； 李耀剛； 張青紅；

關鍵詞：靜電紡絲； 熒光； 氧氮化物

機構： 東華大學纖維材料改性國家重點實驗室,材料科學與工程學院

摘要： 采用靜電紡絲結合氨氣高溫氣相還原的方法制備了Ce3+摻雜和Sm3+摻雜的La3Si8O4N11納米纖維和微米帶薄膜。XRD、FE-SEM、EDX和PL等測試方法對材料進行表征。樣品在1400℃下保溫9 h后的XRD圖譜與La3Si8O4N11的標準卡片吻合,Sm3+和Ce3+的摻雜沒有改變La3Si8O4N11的晶型。樣品在宏觀上仍保持薄膜狀態(tài)。在343 nm附近紫外光的激發(fā)下,Ce3+摻雜的La3Si8O4N11納米纖維在450 nm附近呈現(xiàn)出一個寬發(fā)射峰來自于Ce3+5d-4f電子躍遷的發(fā)射。Ce3+摻雜的La3Si8O4N11納米纖維的衰減曲線為雙衰減曲線,熒光壽命分別為8.27和32.72 ns。而Sm3+摻雜的La3Si8O4N11納米纖維在409 nm的近紫外光的激發(fā)下,在575、600、610和650 nm處存在四個尖銳的窄峰來自于Sm3+的4f-4f電子躍遷的發(fā)射。