CeO2納米線的合成及影響因素的探討

編號：NMJS03698

篇名：CeO2納米線的合成及影響因素的探討

作者：彭歡； 周新木； 李靜； 黃肖鳳； 周雪珍； 李永繡

關(guān)鍵詞：氧化鈰； 納米線； 合成； 影響因素

機構(gòu)： 南昌大學化學系

摘要： 采用水熱法合成了粒徑為25 nm的CeO2納米線,采用X射線衍射儀(XRD)、掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)對其進行了表征和觀察;同時考察了沉淀劑種類、沉淀劑濃度、分散劑種類和反應時間等因素對納米線的合成的影響,最終得到合成納米線的最佳工藝條件為:以氯化鈰為鈰源,氫氧化鈉為沉淀劑,CTAB為分散劑時所合成的納米線分散性好,粒徑均一。討論了納米線的影響因素。